Компания Samsung Electronics объявила о доступности проверенной в кремнии технологии объемной компоновки интегральных микросхем eXtended-Cube или X-Cube для самых современных технологических узлов — 7 и 5 нм. Используя технологию сквозных переходных отверстий в кристаллах (TSV), X-Cube обеспечивает значительный скачок в скорости и энергетической эффективности, помогая удовлетворить строгие требования к производительности приложений следующего поколения, включая 5G, искусственный интеллект, суперкомпьютерные вычисления, а также мобильную и носимую электронику.
Используя X-Cube, разработчики микросхем могут гибко сочетать кристаллы в специализированных решениях, наилучшим образом отвечающих требованиям конкретной задачи. В тестовом изделии, изготовленном по нормам 7 нм, технология TSV используется для размещения кристалла памяти SRAM поверх кристалла с логическими цепями. Благодаря объемной компоновке обеспечивается значительное сокращение путей прохождения сигнала между кристаллами, что позволяет получить максимальную скорость и энергоэффективность. Кроме того, высвобождается место на плате и появляется возможность увеличить объем памяти.
Более подробная информация о Samsung X-Cube будет представлена ??на Hot Chips, ежегодной конференции по высокопроизводительным вычислениям, которая будет транслироваться в прямом эфире с 16 по 18 августа.
