Флеш-память, купить флешки оптом — разновидность полупроводниковой спецтехнологии электрически перепрограммируемой памяти. Это же слово применяется в электронной схемотехнике для обозначения технологически завершенных решений непрерывных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой спецтехнологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, огромному объёму, скорости работы и низкому энергопотреблению, флешки под нанесение обширно применяется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. Серьёзным недостатком данной спецтехнологии является ограниченный срок эксплуатации носителей, а также восприимчивость к электростатическому разряду.
Принцип работы полупроводниковой спецтехнологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («кармане») полупроводниковой конструкции.
Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, дабы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась довольна для появления туннельного результата. Для усиления результата туннелирования электронов в карман при записи используется малое убыстрение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции жгучих носителей).
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман исполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые колляции транзистора, что и регистрируется цепями чтения.
Различаются способом соединения ячеек в массив и алгорифмами чтения-записи: stim-flash.ru.
Конструкция NOR использует классическую двумерную матрицу проводников, в которой на пересечении строк и столбцов установлено по одной ячейке. При этом проводник строк подключался к стоку транзистора, а столбцов — ко второму затвору. Исток подключался к всеобщей для всех подложке. В такой конструкции было легко считать состояние определенного транзистора, подав позитивное напряжение на один столбец и одну строку.
Конструкция NAND — трёхмерный массив. В основе та же самая матрица, что и в NOR, но взамен одного транзистора в всяком пересечении устанавливается столбец из ступенчато включенных ячеек. В такой конструкции получается много затворных цепей в одном пересечении. Плотность компоновки дозволено круто увеличить (чай к одной ячейке в столбце подходит только один проводник затвора), впрочем алгорифм доступа к ячейкам для чтения и записи приметно усложняется.
Изменение заряда сопряжено с накоплением необратимых изменений в структуре и потому число записей для ячейки флеш-памяти ограничено. Классические числа циклов стирания-записи составляют от десятков и сотен тысяч до тысячи либо менее, в зависимости от типа памяти и технологического процесса. Гарантированный источник гораздо больше низок при хранении нескольких бит в ячейке (MLC и TLC) и при применении техпроцессов класса «30 нм» и больше современных.
Одна из причин деградации — неосуществимость индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в всякой ячейке. Дело в том, что запись и стирание производятся над большинством ячеек единовременно — это неотделимое качество спецтехнологии флеш-памяти. Автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке либо по средней величине. Понемногу заряд отдельных ячеек рассогласовывается и в определенный момент выходит за возможные границы, которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи и воспринять устройство чтения. Ясно, что на источник влияет степень идентичности ячеек. Одно из следствий этого — с уменьшением топологических норм полупроводниковой спецтехнологии создавать одинаковые элементы все сложнее, следственно вопрос источника записи становится все острее.
Общество с ограниченной ответственностью «ФЛЭШМЕДИА»
Юр. Адрес: Россия, 111558, г. Москва, Свободный проспект, д. 33, ком.105
